特許
J-GLOBAL ID：200903090624163430
NdGaO3 単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-136856
公開番号（公開出願番号）：特開平6-321696
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月22日
要約：
【要約】【目的】 酸化物超伝導薄膜成長の基板材料等として使用されるNdGaO<SB>3 </SB>単結晶の製造方法に関し、NdGaO<SB>3 </SB>単結晶を引上げ法により育成する際に、結晶欠陥の少なくして高品質を図ることを目的とする。【構成】 NdGaO<SB>3 </SB>単結晶を引上げ法により育成する製造方法において、引上げ時の雰囲気を4%未満の酸素を混合させた窒素酸素混合気体とすること、また引上げ軸方位を斜方晶系基本格子の<112>方位とすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
NdGaO3 単結晶を引上げ法により育成する製造方法において、引上げ時の雰囲気を4%未満の酸素を混合させた窒素酸素混合気体とすることを特徴とするNdGaO3 単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/22 501
, C30B 15/00 ZAA
, C30B 15/36 ZAA
