特許

J-GLOBAL ID：200903090630506357

窒化物半導体発光素子

発明者： 中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317848
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330630
出願日： 1995年12月06日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 静電耐圧が大きい窒化物半導体発光素子を実現して、窒化物半導体発光素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 活性層5と第一のp型クラッド層6との間に、少なくともインジウムを含むp型の窒化物半導体、またはp型のGaNよりなる第二のp型クラッド層60が形成されている。

請求項（抜粋）：

活性層とp型クラッド層との間に、少なくともインジウムを含むp型の窒化物半導体、またはp型のGaNよりなる第二のp型クラッド層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203084   出願人：日本電信電話株式会社