特許
J-GLOBAL ID：200903090639637411
電界放出素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
脇 篤夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-048415
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219141
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 ゲート-カソード間の絶縁抵抗を十分に大きくして、安定した駆動特性を実現する。【解決手段】 絶縁基板(1)上にカソード電極(2)、抵抗層(3)、絶縁層(4)、抵抗層(5)、ゲート電極(6)を順次形成し、絶縁層(4)に設けられている複数のホール内のエミッタコーン(7)を形成するようにした。これにより、エミッタコーン(7)を高密度に配置した場合でも、カソード電極(2)とゲート電極(6)との間の絶縁抵抗を大きく保つことができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成されるカソード領域と、該カソード領域上に形成される第1の抵抗層と、該第1の抵抗層上に形成される絶縁層と、該絶縁層に設けられている複数のホール内の前記第1の抵抗層上に形成されるエミッタと、前記絶縁層上に形成される第2の抵抗層と、該第2抵抗層の上に形成されるゲート領域とから構成されることを特徴とする電界放出素子。
引用特許：
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