金属配線形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上島淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-214473
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041938
出願日： 2006年08月07日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：

【課題】簡単な処理工程であり、かつ、少ない工程数により金属配線を形成することができ、絶縁体に対して高い密着性を有する金属配線を形成することを可能にした金属配線形成方法を提供する。【解決手段】絶縁体の表面に金属配線を形成する金属配線形成方法において、レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光またはフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を、前記レーザー光の波長に対して透明かつ銀イオンを含有する絶縁体の表面に照射し、該照射領域において銀イオンを銀原子に還元して該照射領域に銀原子を生成し、前記レーザー光を照射されて該照射領域に銀原子が生成された前記絶縁体を所定の温度に維持した無電解めっき液に所定時間浸し、該銀原子を触媒核として金属を析出させることにより前記絶縁体に金属膜を堆積して金属配線を形成するようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁体の表面に金属配線を形成する金属配線形成方法において、レーザー光としてパルス幅がピコ秒オーダーのピコ秒レーザー光またはフェムト秒オーダーのフェムト秒レーザー光を、前記レーザー光の波長に対して透明かつ銀イオンを含有する絶縁体の表面に照射し、該照射領域において銀イオンを銀原子に還元して該照射領域に銀原子を生成し、前記レーザー光を照射されて該照射領域に銀原子が生成された前記絶縁体を所定の温度に維持した無電解めっき液に所定時間浸し、該銀原子を触媒核として金属を析出させることにより前記絶縁体に金属膜を堆積して金属配線を形成することを特徴とする金属配線形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/288 , H01L 21/28 , C23C 18/18 , C23C 18/38 , H05K 3/10 , H05K 3/18

FI (6件)：

H01L21/288 E , H01L21/28 A , C23C18/18 , C23C18/38 , H05K3/10 C , H05K3/18 B

Fターム (19件)：

4K022AA03 , 4K022AA33 , 4K022AA42 , 4K022BA08 , 4K022CA06 , 4K022CA12 , 4K022DA01 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104DD22 , 4M104DD53 , 4M104HH09 , 5E343AA26 , 5E343BB25 , 5E343CC72 , 5E343EE42 , 5E343GG11

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-134988
特開昭62-136897
透明材料内部の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-015968 出願人：HOYACANDEOOPTRONICS株式会社

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