特許
J-GLOBAL ID：200903090691999437
不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207293
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078543
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 不揮発性半導体メモリ素子が微細化に適し、スケーリングが容易であって、ゲート・カップリング比を大きく設定することができる不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 浮遊ゲート16がトンネル酸化膜13に接するポリシリコン層14aとポリシリコン層15aからなり、ソース・ドレイン領域12の上に酸化膜17が形成されるとともに、ポリシリコン層14aのソース・ドレイン領域12側に厚い酸化膜18が成長することによりゲート長W1 を設定した不揮発性半導体メモリ装置である。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲートがゲート絶縁膜に接する第1導電層と該第1導電層に接する第2導電層とからなり、前記第1導電層のソース・ドレイン側の側壁に前記第2導電層のソース・ドレイン側の側壁酸化膜に比して厚い酸化膜を具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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