半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-314782
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163916
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】フラッシュメモリにおいて非選択セルから電流が漏れることを防止する。【構成】基板表面にシリコン酸化層を形成し、その上に、フローティングゲート112、層間絶縁膜13、コントロール電極5からなる三層の積層114を形成する。この状態から、等方性エッチングによりシリコン酸化層のエッチバックを行ない、さらに、基板表面および積層114表面を酸化する。これにより、基板表面のシリコン酸化膜8の厚みを、シリコン酸化層の厚みより厚く形成できる。このようにして、ドレイン3近傍の膜厚の方がフローティングゲート112下部の膜厚より厚いトンネル酸化膜7が形成される。

請求項（抜粋）：

第一領域、第一領域との間に電路形成可能領域を形成するように設けられた第二領域、電路形成可能領域を覆う第一の絶縁膜、第一の絶縁膜上に設けられ、電荷を蓄える浮遊型電極、浮遊型電極上に設けられた第二の絶縁膜、第二の絶縁膜上に設けられた制御用電極、を備えた半導体不揮発性記憶装置において、少なくとも第二領域近傍の第一の絶縁膜の厚みを、浮遊型電極下部より厚くしたこと、を特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-134972
特開平2-000372
特開平2-284473

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