特許

J-GLOBAL ID：200903090694482990

半導体素子の処理方法

発明者： 大藤 将人 ,  安部 勝美 ,  清水 久恵 ,  林 享 ,  佐野 政史 ,  雲見 日出也 ,  高井 康好 ,  川▲崎▼ 岳彦 ,  金子 典夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (15件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  藤野 育男 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  高梨 憲通 ,  朝日 伸光 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司 ,  松井 孝夫 ,  小林 恒夫 ,  齋藤 正巳 ,  三山 勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-056284
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212443
出願日： 2008年03月06日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

【課題】望ましくない閾値電圧変化を補償又は抑制することが可能な半導体素子の処理方法を提供する。【解決手段】少なくとも半導体を構成要素として有する半導体素子の処理方法であって、前記半導体の吸収端波長より長波長の光を該半導体に照射することにより、前記半導体素子の閾値電圧を変化させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも半導体を構成要素として有する半導体素子の処理方法であって、 前記半導体の吸収端波長より長波長の光を該半導体に照射することにより、前記半導体素子の閾値電圧を変化させることを特徴とする半導体素子の処理方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627F

Fターム (21件)：

5F110AA08 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN12 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-012185   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (1件)

• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-012185   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• “The influence of visible light on transparent zinc tin oxide thin film transistors”