特許

J-GLOBAL ID：200903090704280976

高感度のゲートを有する電界効果トランジスタ

発明者： ギルシュ ブルムバーグ ,  ピーター ビー.リトルウッド
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (8件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  産形 和央 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-119697
公開番号（公開出願番号）：特開2004-320034
出願日： 2004年04月15日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】高感度のゲートを有する電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】電界効果トランジスタ(FET)は、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、ゲート誘電体と、トランジスタの能動チャネルとして機能する半導体層と、を含んでいる。この能動チャネルは、ソース電極とドレイン電極の間で電流を伝えるように構成されると共に、ゲート電極に印加する電圧に応答して導電率を有する。このゲート誘電体は、ゲート電極と半導体層の間に配置されると共に、擬似1Dの電荷またはスピン密度波材料を含んでいる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタであって、 ゲート、ソース、およびドレイン電極と、 前記トランジスタの能動チャネルとして機能するように配置され、前記能動チャネルが、前記ソース電極とドレイン電極の間で電流を伝えるように構成されると共に、前記ゲート電極に印加された電圧に応じた導電率を有する半導体層と、 擬似1Dの電荷またはスピン密度波材料を含み、前記ゲート電極と前記半導体層の間に配置されているゲート誘電体と を備える電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L27/12

FI (2件)：

H01L29/78 617T ,  H01L27/12 B

Fターム (24件)：

5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE08 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF07 ,  5F110FF21 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG52 ,  5F110GG53 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK08 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許出願第10/043,372号
  

審査官引用 (1件)

• 半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-030000   出願人：ティーディーケイ株式会社, 川副博司