特許
J-GLOBAL ID：200903090716033940
化合物半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-221816
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148718
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【課題】高輝度且つ高信頼性を有する窒化物系化合物半導体からなる発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板11上に発光ダイオード40が配設される。発光ダイオード40は、この順に気相成長されたn型GaN層43、n型InGaN発光層44、p型AlGaN層45、p型GaN層46を具備する。p型GaN層46には及びp型AlGaN層45には、夫々1×1020cm-3、2×1019cm-3の濃度でマグネシウムが含有される。n型GaN層43及びn型InGaN発光層44には5×1018cm-3の濃度で水素が含有され、これにより、p型GaN層46及びp型AlGaN層45からのマグネシウムの拡散が防止される。
請求項（抜粋）：
結晶基板と、前記基板に支持されるように気相成長により形成された、n型若しくはi型の窒化物系化合物からなる半導体膜と、を具備し、前記半導体膜が、その3次元成長から2次元成長への移行を早めるため、1×1015cm-3〜1×1017cm-3のマグネシウム若しくは1×1015cm-3〜1×1017cm-3の亜鉛を含有することを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01L 31/04
, H01S 3/18
