特許
J-GLOBAL ID：200903090746482366
抵抗変化型センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245685
公開番号（公開出願番号）：特開2001-074548
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 従来の抵抗変化型センサよりも感度が高く且つ応用範囲が広い抵抗変化型センサを提供する。【解決手段】 熱による電気抵抗変化を検知する抵抗膜5が組成TiONで表わされる材料からなる抵抗変化型センサ。シリコン半導体基板1上に設けられたメンブレン構造2と該メンブレン構造2の下に形成された空隙3を備え、前記メンブレン構造2は支持膜4,抵抗膜5,配線膜6,保護膜7が順次積層・形成されてなる本センサ、及び抵抗膜5としてのTiON膜の組成比が、原子比でTi35〜45%,O25〜50%,N15〜35%である本センサは特に好ましい。
請求項（抜粋）：
熱による電気抵抗変化を検知する抵抗膜が組成TiONで表わされる材料からなることを特徴とする抵抗変化型センサ。
Fターム (4件)：
2G065AB02
, 2G065BA12
, 2G065BD06
, 2G065CA13
