薄膜キャパシタ素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：武顕次郎 , 鈴木市郎 , 市村裕宏 , 小林一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-373842
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179818
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】ブレイクダウン電圧の低下を防止する絶縁体層の密着強度を高めて信頼性を向上させた薄膜キャパシタ素子と、その製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の薄膜キャパシタ素子は、基板1上に形成された下部電極2と、下部電極2上に形成された誘電体層3と、これら下部電極2および誘電体層3の傾斜側面2a,3aを含む側縁部を覆う領域に形成された絶縁体層4と、誘電体層3上に形成され絶縁体層4上を経由して基板1上へと導出された上部電極5とを備え、誘電体層3および絶縁体層4がSiO2等の無機物からなる。この薄膜キャパシタ素子の製造過程で、下部電極2と誘電体層3用のレジストマスク6や絶縁体層4用のレジストマスク7は、その側面6a,7aをベーク処理にて傾斜させてから異方性エッチングを行うため、傾斜側面2a,3aや傾斜側面4a,4bが形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成されて該基板の法線方向に対し傾斜した側面を有する下部電極と、この下部電極上に形成されて前記側面に連続する同等に傾斜した側面を有する誘電体層と、これら下部電極および誘電体層の前記各側面を含む側縁部を覆う領域に形成されて前記基板の法線方向に対し傾斜した側面を有する絶縁体層と、前記誘電体層上に形成され前記絶縁体層上を経由して前記基板上へと導出された上部電極とを備え、前記誘電体層および前記絶縁体層が無機物からなることを特徴とする薄膜キャパシタ素子。

IPC (1件)：

H01G 4/33

FI (1件)：

H01G4/06 102

Fターム (9件)：

5E082AB03 , 5E082BC35 , 5E082BC40 , 5E082EE05 , 5E082EE13 , 5E082FG03 , 5E082FG22 , 5E082FG42 , 5E082KK01

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜キャパシタ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-202394 出願人：アルプス電気株式会社

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