特許
J-GLOBAL ID：200903078604875310

MgO膜形成方法およびパネル

発明者：
大 東 良 一

大 東 良 一 について

, 
岩 本 要 司

岩 本 要 司 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-181213
公開番号（公開出願番号）：特開2000-017431
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：
【要約】【課題】 真空成膜装置を用いてMgOの薄膜を形成する際プラズマ放電を連続して安定させ、ガラス基板に安定したMgOの薄膜の形成を行なうこと。【解決手段】 真空成膜装置10のプラズマガン11により真空チャンバ12内に向けてプラズマビーム22を生成する。このプラズマガン11の出口部に向けて短管部12Aが突出し、この短管部12Aを包囲するように収束コイル18が設けられている。プラズマビーム22によりるつぼ19内のMgO20が蒸発し、蒸発したMgO20により基板13上にMgOの薄膜が形成される。プラズマガン11の出口部にこのプラズマビーム22の周囲を取囲む電子帰還電極2が設けられ、プラズマビーム22から生じる反射電子流3は電子帰還電極3に帰還する。
請求項（抜粋）：
内部にMgOを収納したるつぼと基板が配置されるとともに、接地された真空チャンバと、真空チャンバ内に向けてプラズマビームを生成する圧力勾配型プラズマガンと、プラズマガンにより生成したプラズマビームを磁場により軌道および/あるいは形状を制御させてるつぼ内のMgOに照射させ、このMgOを基板に蒸着させる永久磁石および収束コイルを用いる制御手段と、真空チャンバ内のうちプラズマガン側にプラズマビーム外周を取囲んで設けられ、MgOに照射されたプラズマビームが生じる反射電子流が帰還する電子帰還電極とを備えた真空成膜装置を用いたMgO膜形成方法において、るつぼ内にMgOを収納する工程と、プラズマガンを作動させて、プラズマビームを生成し、このプラズマビームをるつぼ内のMgOに照射する工程と、ビームがMgOに照射した際生じる反射電子流を帰還電極に戻すとともに、るつぼから蒸発するMgOをイオン化して基板に蒸着させてMgO膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とするMgO膜形成方法。
IPC (2件)：
C23C 14/32 ,  C23C 14/08
FI (2件)：
C23C 14/32 F ,  C23C 14/08 J
Fターム (10件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BD02 ,  4K029CA03 ,  4K029DD03 ,  4K029DE02 ,  4K029EA06 ,  4K029KA01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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