光変調器集積化光源素子およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170453
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196797
出願日： 1991年06月17日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】反射,散乱,吸収損失の少ない高性能な集積化光源素子を実現する。【構成】 n-InP基板1の表面に幅100μm,長さ600μmの2本のSiO2選択成長マスク16を10μmの間隔をもって形成した後、有機金属気相成長法により、n-InPクラッド層2を0.1μm,次いで10nmのInGaAsを井戸層とし、波長1.3μm相当のInGaAsP10nmを障壁層とする量子井戸構造6層からなる活性層3,波長1.3μm相当のInGaAsPガイド層4を0.1μmを成長する。この状態で導波路コアとなるべきMQW構造活性層は1回の成長で滑らかに接続されて形成される。

請求項（抜粋）：

多重量子井戸光変調器と多重量子井戸レーザをモノリシック集積化した光変調器集積化光源素子において、前記変調器の量子井戸構造活性層と前記レーザの量子井戸構造活性層の井戸層と障壁層がそれぞれ井戸層と障壁層で同じ種類の元素からなる化合物半導体であって、その組成が層に平行な方向にはお互いに連続かつ滑らかに接続し層に垂直な方向には1原子層の急峻さで変化してなり、前記変調器の量子井戸構造活性層の井戸層の幅が前記レーザの量子井戸構造活性層の井戸層の幅より小さいこと,前記変調器の量子井戸構造活性層の井戸層材料の禁制帯幅エネルギが前記レーザの量子井戸構造活性層の井戸層材料の禁制帯幅エネルギより大きいことの少なくとも一方を満足するように形成したことを特徴とする光変調器集積化光源素子。

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