特許
J-GLOBAL ID:200903090768282026
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西藤 征彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-100404
公開番号(公開出願番号):特開平8-258077
出願日: 1991年11月12日
公開日(公表日): 1996年10月08日
要約:
【要約】【課題】耐半田クラック性に優れ、しかも生産性にも優れた半導体装置を提供する。【解決手段】下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する。(A)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。【化1】(B)フェノール性水酸基を1分子中に少なくとも2個有する硬化剤。(C)酸化ポリエチレンワックス。
請求項(抜粋):
下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。【化1】(B)フェノール性水酸基を1分子中に少なくとも2個含有する硬化剤。(C)酸化ポリエチレンワックス。
IPC (8件):
B29C 45/02
, B29C 45/14
, C08G 59/20 NHQ
, C08G 59/62 NJS
, C08L 63/00 NJN
, C08L 63/00
, C08L 23:30
, B29K 63:00
FI (5件):
B29C 45/02
, B29C 45/14
, C08G 59/20 NHQ
, C08G 59/62 NJS
, C08L 63/00 NJN
引用特許:
審査官引用 (3件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-325185
出願人:日東電工株式会社
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特開平4-055423
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特開平3-278450
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