特許
J-GLOBAL ID:200903090768474715
光増感剤ならびにそれを用いた半導体電極および光電変換素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-348053
公開番号(公開出願番号):特開2008-156515
出願日: 2006年12月25日
公開日(公表日): 2008年07月10日
要約:
【課題】新規構造の光増感剤を提供し、さらにはこの光増感剤を用いた半導体電極および光電変換素子を提供する。【解決手段】下記一般式(I)または(II)で表される光増感剤、ならびにそれを用いた半導体電極、光電変換素子。 D(m+m')-(A+)m(A’+)m' (I)(一般式(I)中、Dは少なくとも1つのπ電子共役系置換基を有する配位子を含む金属錯体であり、AおよびA’はグアニジン誘導体であり(ただし、AとA’とは同一ではないように選択される)、mは1または2の自然数であり、m’は0または1の整数であり、m+m’は1または2の自然数である。)、 D2-A+B+ (II)(一般式(II)中、Dは少なくとも1つのπ電子共役系置換基を有する配位子を含む金属錯体であり、Aはグアニジン誘導体であり、Bはグアニジン誘導体以外のイオンである。)。【選択図】図1
請求項(抜粋):
下記一般式(I)で表される光増感剤。
D(m+m')-(A+)m(A’+)m' (I)
(一般式(I)中、Dは少なくとも1つのπ電子共役系置換基を有する配位子を含む金属錯体であり、AおよびA’は下記式(a)
IPC (3件):
C09K 3/00
, H01L 31/04
, H01M 14/00
FI (3件):
C09K3/00 T
, H01L31/04 Z
, H01M14/00 P
Fターム (17件):
5F051AA14
, 5F051CB12
, 5F051CB13
, 5F051CB14
, 5F051CB15
, 5F051FA03
, 5F051FA06
, 5F051GA02
, 5F051GA03
, 5F051GA05
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032EE04
, 5H032EE16
, 5H032EE17
, 5H032EE20
, 5H032HH01
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)