特許
J-GLOBAL ID：200903090774259117
ワイヤバンプ形成用金合金線及びワイヤバンプ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139991
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340264
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 ICチップの電極との接合強度が高く、バンプ形成後に残るネック高さを低くすること。【解決手段】 高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち1種以上を0.001〜3.0重量%、La,Eu,Be,Y,Ca,Bi,Feのうち1種以上を5〜500重量ppm 、任意にPd,Pt,Cu,Au,Ag,Sn,In,Mnのうち1種以上を1〜500 重量ppm 含有するバンプ形成用金合金線、及びこれを用いるバンプ形成方法。
請求項（抜粋）：
高純度金にZn,Co,Mo,Crのうち少なくとも1種を0.001〜3.0重量%及びLa,Eu,Be,Y,Ca,Bi,Feのうち少なくとも1種を5〜500重量ppm 含有させたことを特徴とするバンプ形成用金合金線。
IPC (3件)：
H01L 21/60
, H01L 21/60 301
, C22C 5/02
H01L 21/92 603 B
, H01L 21/60 301 F
, C22C 5/02
, H01L 21/92 604 J
