特許

J-GLOBAL ID：200903090784377185

半導体チップの製造方法

発明者： 有田 潔 ,  中川 顕
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  和田 充夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-120815
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303077
出願日： 2005年04月19日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】半導体ウェハを分割することで、個片化された半導体チップを形成する半導体チップの製造方法において、高い抗折強度を有する半導体チップを提供する。【解決手段】第1の面における分割領域R2に絶縁膜35が配置された半導体ウェハ6に対して、第2の面における分割領域に合わせて分割用溝部R2を形成し、第2の面よりプラズマエッチングを施して、第2の面全体及び分割用溝部R2の表面のエッチングを行うことにより、第2の面側の角部の除去を行うとともに、分割領域において分割用溝部R2を除去してエッチング底部より絶縁膜35を露呈させ、プラズマ中のイオンにより露呈された絶縁膜35上に電荷36を帯電させた状態にて、プラズマエッチングを継続して行うことにより、絶縁膜35に接する第1の面側における角部40aの除去を行う。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

分割領域により画定される複数の素子形成領域内に配置される半導体素子を、半導体ウェハの第1の面において形成し、当該半導体ウェハに対して上記分割領域において上記各々の素子形成領域を個別に分割して、個片化された上記半導体素子を含む半導体チップを製造する方法であって、 上記第1の面における上記分割領域に絶縁膜が配置された上記半導体ウェハに対して、上記第1の面とは反対側の面である第2の面における上記分割領域に合わせて分割用溝部を形成し、 当該半導体ウェハに対して上記第2の面よりプラズマエッチングを施して、当該第2の面全体及び上記分割用溝部の表面のエッチングを行うことにより、上記それぞれの素子形成領域において上記第2の面側のそれぞれの角部の除去を行うとともに、上記分割領域において上記分割用溝部を除去してエッチング底部より上記絶縁膜を露呈させ、 プラズマ中のイオンにより当該露呈された絶縁膜上に電荷を帯電させた状態にて、上記プラズマエッチングを継続して行うことで、上記各々の素子形成領域において、上記絶縁膜に接する上記第1の面側におけるそれぞれの角部の除去を行い、 その後、上記第2の面より上記露呈された絶縁膜の除去を行い、上記各々の素子形成領域を個々の上記半導体チップに分割することを特徴とする半導体チップの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (3件)：

H01L21/78 S ,  H01L21/78 L ,  H01L21/78 Q

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-336416   出願人：松下電器産業株式会社