特許
J-GLOBAL ID：200903007909409888
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-336416
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172365
出願日： 2002年11月20日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】製造工程を簡略化して設備コストの低減および生産効率の向上を可能とするとともに、搬送やハンドリング時の半導体ウェハへのダメージを排除して加工歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数の半導体素子が形成された半導体ウェハ6を半導体素子の個片毎に分割して半導体装置を得る半導体装置の製造方法において、回路形成面6aの裏面を機械加工によって薄化した後に切断線31bを定めるマスクをレジスト膜31aによって形成し、マスク側からプラズマを照射して切断線31bの部分をプラズマエッチングして半導体素子6cの個片毎に分割した後に、プラズマによってレジスト膜31aを除去し、さらに機械加工面に生じたマイクロクラック層6bをプラズマエッチングによって除去する一連のプラズマ処理を同一のプラズマ処理装置で行う。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子が第1の面に形成された半導体ウェハを半導体素子の個片毎に分割して厚みが100μm以下の半導体装置を得る半導体装置の製造方法であって、前記第1の面に剥離可能な保護シートを貼付けるシート貼付け工程と、前記第1の面の反対側の第2の面を機械加工によって削り取ることにより半導体ウェハの厚みを100μm以下にする薄化工程と、前記第2の面に半導体ウェハを前記個片毎に分割するための切断線を定めるマスクを形成するマスク形成工程と、前記マスク側から前記半導体ウェハにプラズマを照射して前記切断線の部分をプラズマエッチングすることにより、この半導体ウェハを前記個片毎に分割するプラズマダイシング工程と、前記マスクをプラズマを利用して除去するマスク除去工程と、前記マスクが除去された第2の面をプラズマエッチングすることにより前記薄化工程において第2の面に生成したマイクロクラックを除去するマイクロクラック除去工程と、前記個片毎に分割して得られた半導体装置から前記保護シートを剥離するシート剥離工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/78 S
, H01L21/78 Q
, H01L21/302 105A
5F004BA04
, 5F004BA07
, 5F004BD01
, 5F004DA01
, 5F004DA18
, 5F004DA22
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F004DB26
, 5F004EA28
