特許

J-GLOBAL ID：200903090802459232

半導体装置とその製造方法

発明者： 杉山 隆英 ,  吉田 友幸 ,  堀田 幸司
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-312389
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123469
出願日： 2005年10月27日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】 不純物を含む半導体領域を備えている半導体装置において、その半導体領域の格子定数の変動を抑える技術を提供する。【解決手段】 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であり、ボロンを高濃度に含むコレクタ領域29の第1部分22と、ボロンとガリウムを合計で高濃度に含むコレクタ領域29の第2部分23と、リンを含むベース領域24を順に備えている。第2部分23には、シリコンの共有結合半径よりも小さい共有結合半径のボロンと、シリコンの共有結合半径よりも大きい共有結合半径のガリウムが混在していることを特徴としている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1半導体領域と、その第1半導体領域との間に界面を形成するように接している第2半導体領域を備えている半導体装置であり、 その第1半導体領域には、前記界面から深さ方向に観測したときに、第1種類の第1導電型の導電性不純物が高濃度に一様に分布しており、第2種類の第1導電型の導電性不純物が前記界面近傍に局所的に分布しており、 その第2半導体領域は、第1導電型の導電性不純物を低濃度に含むか、又は第2導電型の導電性不純物を含んでおり、 第1種類の導電性不純物と第2種類の導電性不純物は、一方の導電性不純物が各半導体領域を構成する半導体材料の共有結合半径よりも小さく、他方の導電性不純物が各半導体領域を構成する半導体材料の共有結合半径よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265

FI (8件)：

H01L29/78 655C ,  H01L29/78 655B ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652G ,  H01L21/265 W ,  H01L21/265 F

引用特許：

出願人引用 (1件)

• エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-007094   出願人：三菱住友シリコン株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開平4-180679
  
• エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-007094   出願人：三菱住友シリコン株式会社
• 特開平4-180679
  
• 特開平4-139821