特許
J-GLOBAL ID：200903005538356252

エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ並びにその製造方法

発明者：
津屋 英樹

津屋 英樹 について

, 
二宮 正晴

二宮 正晴 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-007094
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209059
出願日： 2002年01月16日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、高濃度にボロンドープされたシリコン単結晶ウェーハであって、該ウェーハを基板に用いてエピタキシャル成長されたミスフィット転位の発生しない低濃度のボロンドープシリコン単結晶エピタキシャルウェーハを提供する。【解決手段】 高濃度ボロンドープシリコン単結晶ウェーハであって、該ウェーハ表面及びその近傍にゲルマニウムがドープされたウェーハを、該ウェーハの表面に低濃度ボロンドープのエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハとすることにより解決できる。
請求項（抜粋）：
ボロンがドープされたシリコン単結晶ウェーハの表面近傍にゲルマニウムをドープしていることを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/20
Fターム (19件)：
4K030AA03 ,  4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA20 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AD10 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA05 ,  5F045HA03 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM