半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-145551
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324412
出願日： 2005年05月18日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】SOI基板におけるトレンチ分離で囲まれた1つのSOI層に設けるトランジスタ素子の動作時温度を感度良くかつ応答性良く検出できるようにPN接合ダイオードを組み込んだ半導体装置を得ること。【解決手段】トレンチ分離15で囲まれた1つのSOI層13bには、DMOSトランジスタ23と温度検出用PN接合ダイオード22aとが、電気的に浮いた状態で形成されるP型拡散層20によって電気的に絶縁される形で形成されている。温度検出用PN接合ダイオード22aは、P型拡散層20内に形成されるN型拡散層21をカソード領域とし、N型拡散層21内に形成されるP+拡散層19bをアノード領域とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SOI基板におけるSOI層にトレンチ分離を設けてトランジスタ素子の間を電気的に絶縁する半導体装置において、トレンチ分離によって囲まれた1つのSOI層の領域内に、電気的に浮いた状態で形成され、前記SOI層の第1導電型とは異なる第2導電型の絶縁用拡散層と、前記絶縁用拡散層内に形成された第1導電型の拡散層をカソード領域とし、前記第1導電型の拡散層内に形成された第2導電型の拡散層をアノード領域とし、前記SOI層に形成されるトランジスタ素子が動作時に発する熱を検知するPN接合ダイオードとを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/06 , H01L 21/823 , H01L 27/08 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/761 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L27/06 102A , H01L27/08 331E , H01L27/04 H , H01L27/04 A , H01L21/76 J , H01L29/78 624

Fターム (54件)：

5F032AA03 , 5F032AA13 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AB01 , 5F032BB01 , 5F032CA03 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F038AZ08 , 5F038BH16 , 5F038CA02 , 5F038CA08 , 5F038CA09 , 5F038DT12 , 5F038EZ06 , 5F038EZ12 , 5F038EZ13 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20 , 5F048AA03 , 5F048AA04 , 5F048AA10 , 5F048AC10 , 5F048BA12 , 5F048BA16 , 5F048BB06 , 5F048BB20 , 5F048BC03 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE05 , 5F048BE09 , 5F048BF18 , 5F048BG07 , 5F048BG13 , 5F048BH01 , 5F048CA01 , 5F048CA04 , 5F048CA07 , 5F048CA14 , 5F110AA23 , 5F110AA24 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF22 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110NN62 , 5F110NN71

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-224088 出願人：株式会社デンソー

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