特許
J-GLOBAL ID：200903090836489017
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小堀 益 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-130175
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321767
出願日： 1997年05月20日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置を製造する際の封止材の脱泡処理において、封止材の飛び散りを減らすとともに、半導体チップへの付着を無くして生産性を高め、併せて半導体チップを汚すことなく、また傷めることなく、信頼性の高い半導体装置を得ること。【解決手段】 導体回路パターンを設けた基板上にエラストマー7を介して、あるいは、直接に搭載した半導体チップ8と導体回路パターンとをワイヤー11で接続し、この接続箇所を封止材で封止して封止部12を形成し、その後に封止部12を脱泡処理する工程を含む半導体装置の製造方法において、接続箇所を封止材で封止後、離型剤を半導体チップ8及び接続箇所を覆う封止部12に塗付し、真空雰囲気下で脱泡処理する。
請求項（抜粋）：
導体回路パターンを設けた基板上にエラストマーを介して、あるいは、直接に搭載した半導体チップと前記導体回路パターンとをワイヤーで接続し、この接続箇所を封止材で封止して封止部を形成し、その後に封止部を脱泡処理する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記接続箇所を封止材で封止後、離型剤を前記半導体チップ及び前記接続箇所を覆う封止部に塗付し、真空雰囲気下で脱泡処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/28
, B29C 71/00
, B29L 31:34
H01L 23/28 Z
, B29C 71/00
