特許

J-GLOBAL ID：200903090844503096

電子デバイスの製造方法

発明者： 高岡 秀嗣
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131096
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313346
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】 パッケージ内部表面のゴミを簡便に洗浄することが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 機能素子21をパッケージ22,23内に封入する工程の前に、そのパッケージ22,23内部表面の全面または一部にレーザビーム15を照射する。レーザビーム15の照射によりパッケージ22,23内部表面が洗浄され、特に、パッケージ22,23内部表面が金属であればレーザ照射により金属粉が溶融固着されて固定化され、また、表面がレーザ照射によりアニーリングされることによりゴミの再付着も防止される。

請求項（抜粋）：

機能素子をパッケージ内に封入して成る電子デバイスの製造方法であって、前記機能素子を前記パッケージ内に封入する工程の前に、そのパッケージ内部表面の全面または一部にレーザを照射して洗浄する工程を備えることを特徴とする、電子デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/02 ,  B08B 7/00

FI (2件)：

H01L 23/02 Z ,  B08B 7/00

Fターム (4件)：

3B116AA02 ,  3B116AA46 ,  3B116AB01 ,  3B116BC01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 回路基板の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-015305   出願人：松下電工株式会社
• 特開昭62-276859
  
• 金属表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-239813   出願人：株式会社日立製作所