特許
J-GLOBAL ID：200903090849237289

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
大塚 文雄

大塚 文雄 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大塚 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-154066
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356477
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】高誘電率膜、特にHfO2を、HF水溶液を用いたエッチングの際にエッチング残渣なく除去する。【解決手段】下地基板に、高誘電率膜を形成し、この高誘電率膜上に、配線を形成する。配線をマスクとして、高誘電率膜と結合して反応するイオンを注入した後、高誘電率膜を除去する。具体的に、例えば、高誘電率膜として、HfO2を用いて、Alイオンまたは、Siイオンを注入し、HfO2膜中の酸素と、注入したイオンとを結合させた後、HF水溶液により、エッチングする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
下地基板に、高誘電率膜を形成する高誘電率膜形成工程と、 前記高誘電率膜上に、配線を形成する配線形成工程と、 前記配線をマスクとして、前記高誘電率膜と結合して反応するイオンを注入するイオン注入工程と、 前記高誘電率膜を除去する高誘電率膜除去工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (5件)：
H01L29/78 301G ,  H01L29/58 G ,  H01L21/265 W ,  H01L21/265 Y ,  H01L21/306 D
Fターム (59件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB21 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD17 ,  4M104DD81 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF14 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104HH16 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043DD17 ,  5F043GG10 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BE14 ,  5F140BE15 ,  5F140BF04 ,  5F140BF14 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BG10 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH35 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK26 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC08 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04
引用特許：
審査官引用 (2件)

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