特許
J-GLOBAL ID：200903090856649215
カルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-010422
公開番号（公開出願番号）：特開平7-216533
出願日： 1994年02月01日
公開日（公表日）： 1995年08月15日
要約：
【要約】【目的】 化学量論比組成のカルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 基板上の所定領域に、カルコパイライト化合物半導体をターゲットとするスパッタ法によりカルコパイライト構造半導体の構成元素からなる非晶質あるいは微結晶の薄膜を堆積する工程、堆積した薄膜を所望のカルコゲンを含む雰囲気で熱処理する工程、あるいは、堆積した薄膜上に、カルコパイライト構造半導体の構成元素との反応性が低く、相互拡散が起こりにくい別種の薄膜を堆積させ、その後熱処理する工程を有する。
請求項（抜粋）：
基板上の所定領域に、基板に到達する元素が再蒸発しないような基板温度においてカルコパイライト化合物半導体をターゲットとするスパッタ法によりカルコパイライト構造半導体の構成元素からなる非晶質あるいは微結晶の薄膜を堆積する工程、および前記堆積された薄膜を熱処理する工程を含むことを特徴とするカルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/06
, C01G 15/00
, C30B 29/46
, H01L 21/203
, H01L 31/04
