特許
J-GLOBAL ID：200903090861024940

ドライエッチング方法及びこのドライエッチング方法を用いた半導体装置の製造方法

発明者：
川野 裕行

川野 裕行 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-177811
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367958
出願日： 2001年06月12日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 ドライエッチング工程におけるコンディションの変化を正確に把握することができ、寸法精度の向上に対応することができる。【解決手段】 エッチングチャンバー21内のプラズマの発光状態を発光分光器26によって測定し、測定されたプラズマの発光状態に基づいて、エッチングチャンバー21内の初期化状態を決定するため、エッチングチャンバー21内のプラズマの状態の変化によるドライエッチング時に形成される線幅の寸法シフトのばらつきを低減することができ、半導体基板の高集積化に対応することができる。
請求項（抜粋）：
エッチングチャンバー内にエッチングガスを充填して該エッチングガス雰囲気中に所定の電圧を印加することにより、ドライエッチングするためのプラズマ空間を発生させるドライエッチング方法において、該エッチングチャンバー内のプラズマの発光状態を測定して、測定されたプラズマの発光状態に基づいて該エッチングチャンバー内の初期化状態を決定することを特徴とするドライエッチング方法。
Fターム (14件)：
5F004AA16 ,  5F004BA08 ,  5F004BA13 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004CA03 ,  5F004CA07 ,  5F004CA08 ,  5F004CB02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB07
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM