プラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：飯塚雄二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132887
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308352
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】試料の処理品質の向上を図ること。【解決手段】真空容器(12,14)の内壁に付着した反応生成物を除去した後に、真空容器(12,14)の内壁に所定の中間層(バッファ層)を形成する。

請求項（抜粋）：

真空容器内に配置された試料に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記プラズマ処理によって前記真空容器の内壁に付着した反応生成物を除去する第1工程と;前記第1工程の後に、前記真空容器の内壁に所定の中間層を形成する第2工程とを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 J , C23C 16/50 , C23F 4/00 D , H01L 21/31 C , H05H 1/46 C , H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (10件)

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