特許

J-GLOBAL ID：200903090865241920

半導体装置および物理情報取得装置並びに半導体装置の駆動方法

発明者： 馬渕 圭司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-209885
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032681
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】埋込フォトダイオードを電荷生成部に有するCMOS型固体撮像装置において、暗電流をさらに低減できるようにする。【解決手段】半導体基板211の表面側に信号電荷蓄積層である第1センサ領域221を形成し、第1センサ領域221の上部にホール蓄積層である第2センサ領域222を形成することで、埋込フォトダイオード232を形成する。フローティングディフュージョン部238をなす拡散層246とフォトダイオード232との間に転送トランジスタ234をなす転送ゲート電極248を形成する。この転送ゲート電極248を、少なくともそのチャネル側がp型半導体またはそれに準じる仕事関数の物質で形成する。仕事関数差を利用することで、転送ゲート電極248の電位を実質的に負電位にして、転送ゲート電極248下にホールを蓄積する効果を享受できるようになり、転送ゲート下界面からの暗電流の発生を低減することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

物理量の変化を検知して対応する信号電荷を生成する電荷生成部と、前記電荷生成部が生成した信号電荷に基づく単位信号を出力する単位信号生成部と、制御信号が入力されるゲートを有し前記電荷生成部が生成した信号電荷を前記単位信号生成部に転送する転送部とを単位構成要素内に含み、当該単位構成要素が所定の順に配された物理量分布検知のための半導体装置であって、 前記電荷生成部は、第1導電型の不純物を含む第1のセンサ領域を有し、 前記単位信号生成部は、前記第1導電型の不純物を含む第1の半導体領域を有し、 前記第1のセンサ領域から前記第1の半導体領域に信号電荷を転送させる前記転送部の前記ゲートが、真性半導体に対して第2導電型の極性の仕事関数差を持つ物質で構成されている ことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335 ,  H01L 31/00

FI (4件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 P ,  H01L31/00 B

Fターム (27件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  4M118FA47 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5F088AA02 ,  5F088AB03 ,  5F088BA04 ,  5F088BB03 ,  5F088CB10 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088EA14 ,  5F088GA04 ,  5F088KA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体撮像装置及びその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-006657   出願人：ソニー株式会社