特許
J-GLOBAL ID：200903090876478239
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-004192
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216122
出願日： 1993年01月13日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 水分の含有が少なく、かつ、その上にボイドがなく、膜厚依存性のないO3-TEOS SiO2膜が形成されるようなP-TEOS SiON 膜を形成する。【構成】 シリコン基板上にBPSG膜1を形成後、Al配線2を形成する。次にシリコン基板を400 °Cに加熱し、流量が100sccm 、バブラー温度が25°CのN2によりTEOSをバブリングして供給するとともに、流量が30sccmのNH3 を加え、O2を加えることなくP-TEOS SiON 膜3を形成する。次に、その上にO3-TEOS SiO2膜4を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の絶縁膜の少なくとも一部を、有機シランとNH3とを使用したプラズマCVD 法で形成したSiON膜を以て形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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