半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109416
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304218
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】層間絶縁膜に吸収される水分量を低減して金属配線のボイドの発生を防止する。【構成】テトラエトキシシランとアンモニアを用いるプラズマCVD法により、窒素を含む酸化シリコン膜を堆積して層間絶縁膜を形成することにより、層間絶縁膜に吸湿される水分量を低減することができ、層間絶縁膜に接する金属配線にボイドが発生するのを防止し、信頼性を向上させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた下層配線を含む表面に窒素を含有する酸化シリコン膜を堆積して層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の上に上層配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 , H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-039934
特開平4-162428
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-044767 出願人：富士通株式会社

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