特許

J-GLOBAL ID：200903090885832061

赤外検出装置

発明者： 原 仁 ,  岸 直輝
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-139781
公開番号（公開出願番号）：特開2001-324382
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 周囲温度の影響や、光源出力の経時変化や光学系の汚れなどの影響を受けず精度良く赤外線を検出可能な赤外検出装置を提供すること。【解決手段】 ブリッジ回路を構成するボロメータ型の赤外検出素子に赤外線を照射することによりブリッジ回路に発生する不平衡電圧を赤外線の検出信号とする赤外検出装置において、半導体基板に形成され、赤外線の測定光を受光する少なくとも一つの第一赤外検出素子と、第一赤外検出素子と同一の半導体基板に形成され、赤外線の参照光を受光する少なくとも一つの第二赤外検出素子と、第一赤外検出素子と同一の半導体基板に形成され、遮光される第三赤外検出素子及び第四赤外検出素子、とを具備し、第一赤外検出素子、第二赤外検出素子、第三赤外検出素子及び第四赤外検出素子により前記ブリッジ回路を構成したことを特徴とする赤外検出装置。

請求項（抜粋）：

ブリッジ回路を構成するボロメータ型の赤外検出素子に赤外線を照射することにより前記ブリッジ回路に発生する不平衡電圧を前記赤外線の検出信号とする赤外検出装置において、半導体基板に形成され、前記赤外線の測定光を受光する少なくとも一つの第一赤外検出素子と、前記第一赤外検出素子と同一の半導体基板に形成され、前記赤外線の参照光を受光する少なくとも一つの第二赤外検出素子と、前記第一赤外検出素子と同一の半導体基板に形成され、遮光される第三赤外検出素子及び第四赤外検出素子、とを具備し、前記第一赤外検出素子、前記第二赤外検出素子、前記第三赤外検出素子及び前記第四赤外検出素子により前記ブリッジ回路を構成したことを特徴とする赤外検出装置。

IPC (2件)：

G01J 1/02 ,  G01N 21/61

FI (2件)：

G01J 1/02 C ,  G01N 21/61

Fターム (24件)：

2G059AA01 ,  2G059BB01 ,  2G059CC04 ,  2G059EE01 ,  2G059EE11 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ03 ,  2G059JJ04 ,  2G059KK09 ,  2G059NN02 ,  2G059NN07 ,  2G059NN10 ,  2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065AB23 ,  2G065BA12 ,  2G065BA32 ,  2G065BB27 ,  2G065CA21 ,  2G065CA25 ,  2G065CA29 ,  2G065DA08 ,  2G065DA15

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-201229
  
• 赤外線検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-052717   出願人：株式会社精工舎