特許
J-GLOBAL ID：200903090895605322

超音波を利用した基質-モレキュラーシーブ膜複合体の製造方法及びその製造に使用される製造装置

発明者：
ユーン キュン ビュン

ユーン キュン ビュン について

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リー ジン ソク

リー ジン ソク について

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ハ クワン

ハ クワン について

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リー ユン ジョ

リー ユン ジョ について

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チャン ヨン

チャン ヨン について


出願人/特許権者：
インダストリー ユニヴァーシティー コオペレイション ファウンデイション ソーガン ユニヴァーシティー

インダストリー ユニヴァーシティー コオペレイション ファウンデイション ソーガン ユニヴァーシティー について


代理人 (5件)： 熊倉 禎男 ,  小川 信夫 ,  箱田 篤 ,  浅井 賢治 ,  平山 孝二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-517961
公開番号（公開出願番号）：特表2008-503441
出願日： 2005年06月23日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
基質、連結化合物及びモレキュラーシーブ粒子が結合して形成される基質-モレキュラーシーブ膜複合体の製造方法において、単純還流の代りに15KHz〜100MHzの超音波を使用して基質と連結化合物、モレキュラーシーブ粒子と連結化合物、連結化合物と連結化合物または連結化合物と中間連結化合物間の共有、イオン、配位または水素結合を誘導して、基質とモレキュラーシーブ粒子を結合させ、高い付着速度、付着強度、付着程度及び稠密度を有する基質-モレキュラーシーブ膜複合体を製造する方法及びその製造装置に関する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基質と連結化合物、モレキュラーシーブと連結化合物、連結化合物と連結化合物、または連結化合物と中間連結化合物の結合を誘導する段階において、15KHz〜100MHzの超音波を使用することを特徴とする基質-モレキュラーシーブ膜複合体の製造方法。 前記基質は下記の1〜6の化合物のうちいずれか一つの化合物であり、 1.金属及び非金属元素が少なくとも1種以上含まれている酸化物であり、表面にヒドロキシ基を有する物質 2.チオール基(-SH)またはアミン基(-NH2)と反応する金属 3.表面に官能基を有する重合体 4.セレン化亜鉛(ZnSe)、ガリウムヒ素(GaAs)またはリン化インジウム(InP)の半導体化合物、半導体の特性を有する硫化物、セレン化合物またはリン化物 5.ゼオライトまたはゼオタイプ多孔性モレキュラーシーブ 6.表面にヒドロキシ基を有するか、またはヒドロキシ基を有するように処理が可能な天然高分子または伝導性高分子 前記モレキュラーシーブは下記の1〜8の化合物のうちいずれか一つの化合物であり、 1.ゼオライト 2.MFI構造を有するゼオライト、ZSM-5、シリカライト-1、TS-1またはメターロ-シリカライト-1 3.MFI構造を有するゼオライト、ZSM-11、シリカライト-2、TS-2またはメターロ-シリカライト-2 4.ゼオライトA、X、Y、L、ベータ、モデナイト、ペリアライト、ETS-4またはETS-10 5.MCM系列、SBA系列、MSU系列またはKIT系列に関連するメソ多孔性シリカ 6.有機-無機複合メソ細孔構造体または層状物質 7.金属イオンとリガンドが3次元的に結合した有機ゼオライト、有機金属ゼオライトまたは配位化合物ゼオライト 8.多孔性物質の細孔内部または層状構造物質の層間に有機、無機、有機-無機混合染料、発光染料または顔料を染み込ませた複合体 前記連結化合物は下記化学式1〜7の化合物からなる群から選択された少なくとも1種以上の有機化合物から由来した化合物であり、 [化学式1] Z-L1-X [化学式2] MR'4 [化学式3] R3Si-L1-Y [化学式4] HS-L1-X [化学式5] HS-L1-SiR3 [化学式6] HS-L1-Y [化学式7] Z-L2(+)L3(-)-YまたはZ-L3(-)L2(+)-Y (前記化学式において、ZはR3Siまたはイソシアネート(-NCO)であり、Rはハロゲン基、C1-C4アルコキシまたはC1-C4アルキル基を表し、3個のRのうち少なくとも一つはハロゲン基またはアルコキシ基であり、L1はアルキル、アラルキルまたはアリル基のような置換または非置換されたC1-C17炭化水素残基であり、これは1個以上の酸素、窒素または硫黄原子を含み、Xはハロゲン基、イソシアネート(-NCO)基、トシル基またはアジド基であり、R'はRと同様であり、4個のR'のうち少なくとも2個はハロゲン基またはアルコキシ基であり、Mはケイ素、チタンまたはジルコニウムであり、Yはヒドロキシ基、チオール基、アミン基、アンモニウム基、スルホン基およびその塩、カルボン酸およびその塩、酸無水物、エポキシ基、アルデヒド基、エステル基、アクリル基、イソシアネート基(-NCO)、糖残基、二重結合、三重結合、ジエン、ジイン、アルキルホスフィン、アルキルアシン、及びリガンド交換をすることができる配位化合物であり、連結化合物の末端または中間に位置させることもでき、L2(+)は1個以上の酸素、窒素または硫黄原子を含む置換または非置換されたC1-C17炭化水素化合物の末端、直鎖または側鎖に正電荷(+)が少なくとも1個有する官能基を表し、L3(-)は1個以上の酸素、窒素または硫黄原子を含む置換または非置換されたC1-C17炭化水素化合物の末端、直鎖または側鎖に負電荷(-)が少なくとも1個有する官能基を意味する。) 前記中間連結化合物はフラーレン(C60、C70)、カーボンナノチューブ、α,ω-ジアルデヒド、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物、アミン-デンドリマー、ポリエチレンイミン、α,ω-ジアミン、金属ポルフィリン及びMで表示される錯化合物(Mはコバルト、ニッケル、クロム、マンガンまたは鉄であり、生理食塩水はN,N'-ビス(サリチリデン)エチレンジアミンである)からなる群から選択された化合物である。
IPC (6件)：
C01B 37/02 ,  B32B 18/00 ,  B01J 19/10 ,  C01B 39/18 ,  C01B 39/24 ,  C01B 39/14
FI (7件)：
C01B37/02 ,  B32B18/00 B ,  B32B18/00 C ,  B01J19/10 ,  C01B39/18 ,  C01B39/24 ,  C01B39/14
Fターム (79件)：
4F100AA12A ,  4F100AA17A ,  4F100AA20B ,  4F100AA20C ,  4F100AB01A ,  4F100AC04A ,  4F100AC04B ,  4F100AC04C ,  4F100AH08B ,  4F100AH08C ,  4F100AJ01A ,  4F100AK01A ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100CA13B ,  4F100CA13C ,  4F100DJ10A ,  4F100DJ10B ,  4F100DJ10C ,  4F100EJ25 ,  4F100EJ252 ,  4F100EJ46 ,  4F100GB41 ,  4F100GB56 ,  4F100GB90 ,  4F100JK06 ,  4F100JL02 ,  4F100JL11 ,  4F100JN28B ,  4F100JN28C ,  4G073AA02 ,  4G073AA03 ,  4G073BA02 ,  4G073BA20 ,  4G073BA21 ,  4G073BA52 ,  4G073BA58 ,  4G073BA59 ,  4G073BA62 ,  4G073BA70 ,  4G073BA71 ,  4G073BA75 ,  4G073BA77 ,  4G073BB05 ,  4G073BB15 ,  4G073BB18 ,  4G073BB19 ,  4G073BB34 ,  4G073BB42 ,  4G073BB58 ,  4G073BD18 ,  4G073CN03 ,  4G073CZ02 ,  4G073CZ04 ,  4G073CZ05 ,  4G073CZ07 ,  4G073CZ10 ,  4G073CZ13 ,  4G073CZ14 ,  4G073CZ49 ,  4G073CZ54 ,  4G073CZ55 ,  4G073DZ04 ,  4G073FA09 ,  4G073FC18 ,  4G073FC28 ,  4G073FD04 ,  4G073GA01 ,  4G073UA01 ,  4G073UA06 ,  4G073UA09 ,  4G073UB47 ,  4G075AA24 ,  4G075BA02 ,  4G075CA23 ,  4G075DA01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 大韓民国登録特許335966号、PCT/KR00/01002
審査官引用 (2件)

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