特許
J-GLOBAL ID：200903090897041833
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-327978
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312259
出願日： 1996年11月22日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 高い特性を有する薄膜トランジスタを得る。【解決手段】 非晶質珪素膜203の特定の領域205に選択的にニッケル元素を接して保持させる。そして加熱処理を施すことにより、207で示されるような基板に平行な方向への結晶成長を行わせる。さらにハロゲン元素を含有した酸化性雰囲気中での加熱処理を施すことにより、熱酸化膜209を形成する。この際、結晶性の改善、ニッケル元素のゲッタリングが進行する。そして上記結晶成長方向とソース/ドレイン領域との結ぶ方向とを合わせて薄膜トランジスタを作製する。こうすることで、移動度が200(cm2/Vs) 以上、S値が100(mV/dec)以下というような高い特性を有するTFTを得ることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性珪素膜を活性層とした薄膜トランジスタを利用した半導体装置であって、該結晶性珪素膜は、所定の方向に連続性を有する結晶構造を有し、かつ前記所定の方向に延在した結晶粒界を有し、前記薄膜トランジスタにおいて、ソース領域とドレイン領域とを結ぶ方向と前記所定の方向とは、所定の角度を有してなり、前記結晶性珪素膜上には、該結晶性珪素膜よりも膜厚の厚い熱酸化膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/20
, H01L 21/322
, H01L 21/324
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/322 Q
, H01L 21/324 Z
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 616 S
, H01L 29/78 627 G
