特許
J-GLOBAL ID:200903090910776848
透明電極
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-111638
公開番号(公開出願番号):特開2001-297630
出願日: 2000年04月13日
公開日(公表日): 2001年10月26日
要約:
【要約】【解決手段】 透明高分子成形基体(A)上に、透明導電性高屈折率薄膜層(a)、銀又は銀合金からなる金属薄膜層(b)、透明高屈折率薄膜層(c)、ガスバリヤー層(d)が、A/d/c/b/aまたはd/A/c/b/aまたはd/A/d/c/b/aの構成で積層されており、積層されている膜の合計膜厚が60〜100nmで、透明導電性高屈折率薄膜層(a)の比抵抗が1×10-7〜1×102 Ω・cmであり、かつ、酸素ガス透過度が0.001〜1cc/m2 /day/atmで、水蒸気透過度が0.001〜1cc/m2 /day/atmである透明電極。【効果】 有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した時に十分な発光輝度、及び、十分な発光寿命を維持することが可能にする透明電極を提供する。
請求項(抜粋):
透明高分子成形基体(A)上に、透明導電性高屈折率薄膜層(a)、銀又は銀合金からなる金属薄膜層(b)、透明高屈折率薄膜層(c)、ガスバリヤー層(d)が、A/d/c/b/aまたはd/A/c/b/aまたはd/A/d/c/b/aの構成で積層されており、積層されているガスバリヤー層(d)以外の膜の合計膜厚が60nm以上、100nm以下であり、透明導電性高屈折率薄膜層(a)の比抵抗が1×10-7Ω・cm以上、1×102 Ω・cm以下であり、かつ、透明電極の酸素ガス透過度が0.001cc/m2 /day/atm以上、1cc/m2 /day/atm以下であり、水蒸気透過度が0.001g/m2 /day/atm以上、1g/m2 /day/atm以下であることを特徴とする透明電極。
IPC (6件):
H01B 5/14
, B32B 7/02 104
, B32B 9/00
, G02F 1/1343
, H05B 33/14
, H05B 33/28
FI (6件):
H01B 5/14 A
, B32B 7/02 104
, B32B 9/00 A
, G02F 1/1343
, H05B 33/14 A
, H05B 33/28
Fターム (60件):
2H092GA17
, 2H092GA25
, 2H092GA27
, 2H092HA03
, 2H092HA04
, 2H092MA04
, 2H092MA05
, 2H092MA06
, 2H092NA28
, 2H092PA01
, 3K007AB02
, 3K007AB13
, 3K007CB03
, 3K007CB04
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4F100AA17B
, 4F100AA17D
, 4F100AA19B
, 4F100AA19D
, 4F100AA25B
, 4F100AA25D
, 4F100AA28B
, 4F100AA28D
, 4F100AB17C
, 4F100AB24C
, 4F100AB25C
, 4F100AB31C
, 4F100AB33B
, 4F100AB33C
, 4F100AB33D
, 4F100AK01A
, 4F100AK42A
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10B
, 4F100BA10E
, 4F100EH66
, 4F100GB41
, 4F100JD02E
, 4F100JD03
, 4F100JD04
, 4F100JG01B
, 4F100JG04B
, 4F100JN01A
, 4F100JN01B
, 4F100JN01D
, 4F100JN18B
, 4F100JN18D
, 4F100JN30
, 4F100YY00
, 4F100YY00B
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FB02
, 5G307FC02
, 5G307FC04
, 5G307FC07
, 5G307FC10
引用特許:
審査官引用 (1件)
-
透明導電性積層体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-182265
出願人:三井東圧化学株式会社
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