特許
J-GLOBAL ID：200903090915795786
金属配線およびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053571
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226387
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】半導体装置における金属配線のエレクトロマイグレーション耐性等の信頼性を向上させるとともに、微細化された半導体装置においても良好に使用できる金属配線およびその形成方法の提供。【構成】半導体基板上に高融点金属もしくは高融点金属化合物を含む下地金属膜を形成し、次いで、この下地金属膜表面を、塩素を含むガス雰囲気を用いてプラズマエッチングを行った後、前記下地金属膜上にAl,Cu,AuおよびAgのいずれかを主成分とする配線金属膜を形成する金属配線の形成方法およびこうして得られた金属配線によって上記目的を達成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上方に高融点金属もしくは高融点金属化合物を含む下地金属膜を形成し、次いで、この下地金属膜表面を、塩素を含むガス雰囲気を用いてプラズマエッチングを行った後、前記下地金属膜上にAl,Cu,AuおよびAgのいずれかを主成分とする配線金属膜を形成することを特徴とする金属配線の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 M
, H01L 21/90 C
