特許
J-GLOBAL ID:200903090921181765
高速応答光電流増倍装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野口 繁雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-386074
公開番号(公開出願番号):特開2002-190616
出願日: 2000年12月19日
公開日(公表日): 2002年07月05日
要約:
【要約】【課題】 増倍光電流の光応答速度を速める。【解決手段】 光電流増倍層1は光導電性有機半導体に異種材料を添加(ドーピング)した蒸着膜である。光導電性有機半導体としてペリレン顔料(Me-PTC)を用い、膜厚は500 nmとした。Me-PTCは使用前に昇華精製を2回行い高純度化してある。金属電極2は半透明金蒸着膜(膜厚20 nm)、金属電極3はガラス基板上に蒸着された透明電極のITO(酸化インジウム錫)である。
請求項(抜粋):
光導電性有機半導体を含む光電流増倍層に電圧を印加した状態でその光電流増倍層に光照射することにより増倍された量子収率で光照射誘起電流を得る光電流増倍装置において、前記光電流増倍層は前記光導電性有機半導体の他に、光電変換に影響を及ぼす異種材料を含有していることを特徴とする高速応答光電流増倍装置。
IPC (3件):
H01L 31/107
, H01L 31/14
, H05B 33/14
FI (3件):
H01L 31/14 A
, H05B 33/14 A
, H01L 31/10 B
Fターム (11件):
3K007AB00
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 5F049MA07
, 5F049MB08
, 5F049QA03
, 5F049SE04
引用特許:
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