特許
J-GLOBAL ID:200903090923018055
アルミナ質回路基板およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-042527
公開番号(公開出願番号):特開平9-237957
出願日: 1996年02月29日
公開日(公表日): 1997年09月09日
要約:
【要約】【課題】黒色化剤を含有するアルミナ質セラミックスを絶縁基板とする回路基板において、無電解メッキによっても不要な部分へのメッキ付着のない信頼性の高い回路基板を提供する。【解決手段】Al2 O3 を主体とし、Mo、WおよびNbの群から選ばれる少なくとも1種を金属換算で0.01〜5重量%、場合によって炭素粉末を添加含有した成形体にW,Moの少なくとも1種を主体とする導体ペーストを塗布して、非酸化性雰囲気中で焼成して全炭素量が0.005〜3重量%の黒色系セラミックスからなる基板1を得た後、この基板の導体層2の表面にNi、Au等の無電解メッキ層3を形成する。
請求項(抜粋):
Al2 O3 を主体とし、Mo、WおよびNbの群から選ばれる少なくとも1種を金属換算で0.01〜5重量%、さらに炭素を全量中0.005〜3重量%の割合で含有する黒色系セラミックスからなる絶縁基板の表面に、W、Moの少なくとも1種を主体とする導体層を形成し、さらに該導体層の表面に無電解メッキ層が形成されてなることを特徴とするアルミナ質回路基板。
IPC (6件):
H05K 3/24
, C04B 35/111
, C04B 41/90
, H01L 23/14
, H05K 1/09
, H05K 1/03 610
FI (6件):
H05K 3/24 A
, C04B 41/90 A
, H05K 1/09 B
, H05K 1/03 610 D
, C04B 35/10 D
, H01L 23/14 M
引用特許:
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