特許
J-GLOBAL ID：200903090924477010
バイポーラトランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340170
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181088
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 エミッタコンタクト層をエピタキシャル成長法で形成したのでは時間が掛かり過ぎ、イオン注入法で形成したのではホウ素が増速拡散を起こして薄いベース層の形成ができない。またDOPOS膜を用いる方法では界面酸化膜によりエミッタ抵抗が高くなる。【解決手段】 半導体基板10上にベース層になる第1導電型の半導体膜(P+ 型のシリコンゲルマニウム膜23を形成する工程と、その上にエミッタ層になる第2導電型の半導体膜(N- 型のシリコン膜24)を形成する工程と、プラズマドーピングによって、N- 型のシリコン膜24の表層にこの膜よりも不純物濃度が高くなる状態に不純物をドーピングして第2導電型の高濃度層(N+ 型のシリコン膜25)を形成する工程とを備えた製造方法である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にベース層になる第1導電型の半導体膜を形成する工程と、第1導電型の半導体膜上にエミッタ層になる第2導電型の半導体膜を形成する工程と、プラズマドーピングによって、前記第2導電型の半導体膜の表層に該第2導電型の半導体膜よりも不純物濃度が高くなる状態に不純物をドーピングして第2導電型の高濃度層を形成する工程とを備えたことを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
