特許
J-GLOBAL ID：200903090924738060
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-190097
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032049
出願日： 1994年07月20日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 過電圧耐量の高いサイリスタ,トライアックなどの半導体装置を提供する。【構成】 第1の導電型の第1の半導体層1と、第1の半導体層の片側の表面に設けられ第2の導電型の第2の半導体層と、第2の半導体層2の半導体層と対向する表面に設けられた第2の導電型の第3の半導体層3と、第3の半導体層内に選択的に設けられた第1の導電型の第4の半導体層4とにより形成された半導体装置の第1の半導体層1の内部に、第1の導電型で第1の半導体層の不純物濃度より高い不純物濃度領域を設けたものである。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の第1半導体層と、上記第1の半導体層の片側の表面に設けられた第2の導電型の第2の半導体層と、上記第2の半導体層と対向する表面に設けられた第2の導電型の第3の半導体層と、上記第3の半導体層内に選択的に設けられた第1の導電型の第4の半導体層とを有する半導体装置において、上記第1の半導体層の内の接合端を除く部分に第1の導電型で上記第1の半導体層の不純物濃度より高い不純物濃度の領域を設けたことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/74 F
, H01L 29/74 D
