特許
J-GLOBAL ID：200903090924801861
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114453
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037289
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】分離領域52のシリコン基板55より上層に層間絶縁膜を存在させるとともに、境界領域63にシリコン基板55と導通する少なくとも1列の金属コンタクト部53,53 ́を備え、この金属コンタクト部はメタル配線層60と導通し、電気絶縁被膜57で覆うことにより、チッピングのないスクライブができ、シリコン基板の損傷がなく、基板の電位固定が容易で高信頼性の半導体装置を提供する。【構成】半導体装置本体62と分離領域52との境界領域63にタングステンを埋め込んだ幅0.01〜1μmの金属コンタクト部53,53 ́を半導体装置本体62の外周を包囲して形成し、シリコン基板55の電位を固定するための第一メタル配線層60と第二メタル配線層61とをその上に形成する。また、スクライブレーン領域52には酸化シリコン膜58 ́と層間絶縁膜51を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上の半導体装置本体領域と分離領域(スクライブレーン領域)と前記2領域の間の境界領域とを含む半導体装置であって、前記分離領域の前記シリコン基板より上層に層間絶縁膜を存在させるとともに、前記境界領域に、前記シリコン基板と導通する少なくとも1列の金属コンタクト部を備え、前記金属コンタクト部はメタル配線層と導通しており、かつ前記メタル配線層は電気絶縁被膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/43
, H01L 21/28 301
, H01L 21/301
, H01L 21/3205
H01L 29/46 R
, H01L 21/78 L
, H01L 21/88 S
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
