特許
J-GLOBAL ID：200903090971142981

多結晶シリコン薄膜の作製方法

発明者：
八井 浄

八井 浄 について

, 
鈴木 俊昭

鈴木 俊昭 について


出願人/特許権者：
八井 浄

八井 浄 について

, 
株式会社明電舎

株式会社明電舎 について


代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-107888
公開番号（公開出願番号）：特開2002-302758
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】 シリコン及び石英ガラス基板を加熱及びアニール処理をせずに、その基板上にポリシリコン薄膜を成膜することができる.【解決手段】 第1、第2箱体11、12は連通状態に構成され、第1箱体11には、パルスイオンビーム発生源を配置し、第2箱体12には、ターゲットと基板を配置する。パルスイオンビーム発生源は、陽極13を取り囲むように形成した陰極14から構成され、第2箱体12に設けられた固体のターゲット17は、所定の角度を傾けて配置される。ターゲット17と対向する位置に基板18を支持装置19により支持して配置する。陽極13には、電圧、電流を供給してイオンビーム発生源を動作させてイオンビームを発生させ、このビームを、ターゲット17に照射すると、アブレーションプラズマが、ターゲット17の中でプロトンの飛程により生成される。生成されたプラズマは、ターゲット面に垂直方向へ飛散して基板18に蒸着され、基板18に薄膜が作製される。
請求項（抜粋）：
真空にされた箱体内にパルスイオンビーム発生源と、この発生源から一定距離を隔てて固体ターゲットとを設け、パルスイオンビーム発生源から発生したアブレーションプラズマを固体ターゲットに照射するパルスイオンビーム蒸着法であって、前記ターゲットに照射されたアブレーションプラズマにより生成されたプラズマを被処理基板に蒸着して、被処理基板上に高い結晶性を持つ多結晶シリコン薄膜を加熱、アニール処理しないで作製するようにしたことを特徴とする多結晶シリコン薄膜の作製方法。
IPC (7件)：
C23C 14/14 ,  C23C 14/46 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 31/04
FI (7件)：
C23C 14/14 A ,  C23C 14/46 Z ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 B ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 31/04 X
Fターム (31件)：
4K029AA06 ,  4K029AA08 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA35 ,  4K029BB08 ,  4K029CA05 ,  4K029DC37 ,  4K029EA06 ,  4M104AA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB37 ,  4M104DD36 ,  4M104HH20 ,  5F045AA18 ,  5F045AB03 ,  5F045AE13 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB18 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F051AA03 ,  5F051CB11 ,  5F051GA03 ,  5F103AA06 ,  5F103AA10 ,  5F103DD16 ,  5F103HH04
引用特許：
出願人引用 (3件)

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