特許

J-GLOBAL ID：200903090988055330

半導体装置の製造方法

発明者： 塚本 丈夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-131592
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323562
出願日： 1999年05月12日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 研磨耐性等の機械的特性に優れる一方、対酸化耐性の劣るダイヤモンド状炭素膜を、化学的機械的研磨のストッパー膜等として有効に活用し得る技術を提供すること。【解決手段】 半導体基板1上にダイヤモンド状炭素膜からなるストッパー膜4を形成した後、ストッパー膜4を覆う酸化防止膜3、5および酸化防止膜サイドウォール7aを形成する。この状態で熱処理を行い、酸化膜8を形成する。その後、全面に絶縁膜9を形成し、次いでストッパー膜4を化学的機械的研磨の研磨阻止膜として用いて平坦化を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、ダイヤモンド状炭素膜と、該ダイヤモンド状炭素膜を覆う酸化防止膜とを含む多層膜を形成し、その後、前記ダイヤモンド状炭素膜が前記酸化防止膜で覆われた状態で熱処理を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (9件)：

5F032AA34 ,  5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032AA77 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA74

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子の素子分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-230686   出願人：株式会社東芝
• 特開昭61-166041
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-171283   出願人：株式会社東芝
• 特開昭61-166041