半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-300073
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072253
出願日： 2003年08月25日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】バリアメタル層の機能を維持しながら、被膜応力を低減し得るパッド電極構造を提供すること。【解決手段】半導体基板20表面の絶縁層2上に形成されたパッド電極4と、前記パッド電極4上と前記絶縁層2上に形成され、前記パッド電極部に開口部が設けられたパッシベーション膜5と、前記パッシベーション膜5上と前記パッド電極4上に形成され、前記パッド電極部に開口部が設けられたポリイミド膜11と、前記パッド電極4上と前記ポリイミド膜11上に形成され、Ti,Cr,TiW,Mo,Ta,W,Nb,Vのうちいずれか1種の金属からなる下地層と、Ni,Cu,Pdのうちいずれか1種の金属からなるシード層とで構成される第一のバリアメタル層7と、前記第一のバリアメタル層7上に形成されたNiFe合金からなる第二のバリアメタル層12と、前記第二のバリアメタル層12上に形成された突起電極9とを備えた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板表面の絶縁層上に形成されたパッド電極と、前記パッド電極上と前記絶縁層上に形成され、前記パッド電極上に開口部が設けられたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上と前記パッド電極上に形成され、前記パッド電極上に開口部が設けられたポリイミド膜と、前記パッド電極上と前記ポリイミド膜上に形成され、Ti,Cr,TiW,Mo,Ta,W,Nb,Vのうちいずれか1種の金属からなる下地層と、Ni,Cu,Pdのうちいずれか1種の金属からなるシード層とで構成される第一のバリアメタル層と、前記第一のバリアメタル層上に形成されたNiFe合金からなる第二のバリアメタル層と、前記第二のバリアメタル層上に形成された突起電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L21/60

FI (2件)：

H01L21/92 603E , H01L21/92 603D

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-214891 出願人：日本電気株式会社
特開平1-214141号公報(第3頁図1)

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-214891 出願人：日本電気株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-066421 出願人：株式会社日立製作所
無鉛はんだを使用する相互接続構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-299962 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

全件表示

前のページに戻る