トランジスタの評価方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 田中克郎 , 大賀眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-376124
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142304
出願日： 2003年11月05日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】簡易な手法でトランジスタの界面欠陥を抽出する方法を提案する。【解決手段】本発明のトランジスタの評価方法は、絶縁物(11)上に形成された半導体層(12)と、半導体層(12)上に形成されたゲート絶縁膜(15)と、ゲート絶縁膜(15)上に形成されたゲート電極(16)と、半導体層(12)の両側に存在するソース領域(13)及びドレイン領域(14)を備えたトランジスタ(10)の評価方法であって、ゲート電極(16)と、ソース領域(13)及びドレイン領域(14)を接続した電極との間の容量-電圧特性を測定することで、半導体層(12)とゲート絶縁膜(15)の界面(18)欠陥を抽出する。トランジスタ(10)の容量-電圧特性を測定するだけで界面欠陥を抽出できるため、従来の界面欠陥抽出方法よりも測定手法を簡易にできる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁物上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体層の両側に存在するソース領域及びドレイン領域と、を備えたトランジスタの評価方法であって、前記ゲート電極と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を接続した電極との間の容量-電圧特性を測定することで前記半導体層と前記ゲート絶縁膜の界面欠陥を抽出する、トランジスタの評価方法。

IPC (2件)：

H01L29/786 , G01R31/26

FI (2件)：

H01L29/78 624 , G01R31/26 B

Fターム (10件)：

2G003AA02 , 2G003AA07 , 2G003AB01 , 2G003AB07 , 5F110AA24 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13

引用特許：

出願人引用 (1件)

トランジスタの評価方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-000930 出願人：セイコーエプソン株式会社

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