特許

J-GLOBAL ID：200903091036931370

高純度単結晶炭化ケイ素を成長させる方法及び装置

発明者： バラクリシュナ,ヴィジャイ ,  トーマス,アール.ノエル ,  オーガスチン,ゴッドフライ ,  ホプキンス,リチャード エイチ. ,  ホブグッド,エイチ.マクドナルド
出願人/特許権者： ノースロップ グラマン コーポレーション
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-524499
公開番号（公開出願番号）：特表2001-526163
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2001年12月18日
要約：

【要約】半導体級炭化ケイ素のエピタキシャル層あるいはブールを成長させるための方法及び装置。純シリコンの供給原料が溶融されて気化される。気化したシリコンは、プロパンなどの高純度炭素含有ガスと反応し、この反応により生じるガス状の化学種は、炭化ケイ素の種結晶あるいは、単結晶炭化ケイ素の成長により生じる基板の上に蒸着される。

請求項（抜粋）：

物理的蒸気移動炉システムの内部で種結晶の上に単結晶炭化ケイ素を成長させる方法であって、 (A)ある量の高純度シリコンを溶融しかつ気化させるステップと、 (B)この気化したシリコンを反応帯における炭素のガス供給源と反応させるステップと、 (C)この反応の生成物が前記種結晶の上に蒸着するように、前記炉システムの内部における温度分布を維持するステップとを備えている単結晶炭化ケイ素を成長させる方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077EA02 ,  4G077EA10 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-103719   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 単結晶成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-120637   出願人：株式会社豊田中央研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Sublimation growth of silicon carbide in the growth system free of carbon materials