特許

J-GLOBAL ID：200903091044039606

半導体発光装置

発明者： 尺田 幸男
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-142224
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350204
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】 GaAs基板またはIII-V族半導体膜と、II-VI族半導体膜との間において、小さな電圧で必要な電流が流れるようにして、電力消費及び温度特性の改善を図る。【構成】 N型GaAs基板1上に成長したN型AlGaAs膜2上にN型ZnSe-AlGaAs超格子層3を作り、このN型超格子層3上にPN接合構造の ZnCdSSe系のII-VI族半導体膜4を成長し、前記N型GaAs基板1とII-VI族半導体膜4とに形成した電極5、6間に順方向バイアスを印加したとき、N型AlGaAs膜2とII-VI族半導体膜4間にN型超格子層3による中間レベルのエネルギバンドを介在させて、エネルギレベルがIII-V族N型半導体層14からII-VI族半導体膜4へ順次段階的に高くなるように構成し、エネルギ障壁の高さに対して指数関数的に減少する電圧/電流特性を利用して、低電圧で所要の電流が得られるようにしたもの。

請求項（抜粋）：

半導体N型層と半導体P型層とを活性層を挟んで積層状に配してなる半導体膜を、GaAs基板に直接、または該GaAs基板上に成長した該GaAs基板と同一導電型のIII-V族半導体膜上に成長し、さらに前記半導体膜とGaAs基板の互いに対向する外表面にそれぞれ電極を形成した半導体発光装置において、前記半導体膜をZnCdSSe系またはMgZnCdSSe系のII-VI族半導体により形成するとともに、該II-VI族半導体膜と前記GaAs基板またはIII-V族半導体膜との間に、前記GaAs基板と同一導電型のZnSeとAlGaAsとにより構成されるZnSe-AlGaAs超格子層を介在させたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  C30B 29/68 ,  H01L 21/12 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-200784
  
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-016258   出願人：株式会社東芝