特許
J-GLOBAL ID：200903091062899779
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-037660
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243744
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子の微細化や集積化等を進めていった場合であっても、保磁力の変化やばらつきが生じてしまうのを極力抑制し、良好な情報記録特性を実現する。【解決手段】 少なくとも強磁性体からなる自由層12と、非磁性体からなる非磁性層13と、強磁性体からなり磁化方向が固定された固定層11とが順に積層され、自由層12の磁化方向の変化を利用して情報記録を行うように構成された磁気抵抗効果素子において、自由層12を複数領域12a,12bに分断し、これら複数領域12a,12bを各層11〜13の積層方向に沿って延びる書き込み電極8の周囲に当該書き込み電極8を囲むように配し、その書き込み電極8を囲む各領域12a,12bによって磁場を還流させるための磁場還流構造を形成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも強磁性体からなる自由層と、非磁性体からなる非磁性層と、強磁性体からなり磁化方向が固定された固定層とが順に積層され、前記自由層の磁化方向の変化を利用して情報記録を行うように構成された磁気抵抗効果素子において、前記自由層が発生させる磁場を還流させるための磁場還流構造を有していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 27/105
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 P
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01L 27/10 447
