特許
J-GLOBAL ID：200903091089629102

半導体集積回路

発明者：
横山 克彦

横山 克彦 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094836
公開番号（公開出願番号）：特開2000-292494
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 トランジスタ特性をアナログ的に測定可能とする。【解決手段】 テスト回路は、内部出力端子の2箇所に接続され通常の出力モードとテストモードとを切り替える第1および第2の3stバッファTB1,TB2を備え、第1の3stバッファTB1側では、通常の出力モードの場合に動作する第1および第2のトランジスタTr1,Tr2が接続され、第1のトランジスタTr1と第2のトランジスタTr2との間に配置された第1のパッドAと、第2の3stバッファTB2側に接続された第2のパッドBと、専用電源Vと、専用グランドGとを備える。テストモードの場合、第1および第2のパッドA,Bに任意の電圧を印加し、専用電源Vの電圧を第1のパッドAと同電位にして、第1のパッドAに流れる電流を測定する。
請求項（抜粋）：
チップ内部の内部論理回路と、前記内部論理回路の内部出力端子から外部出力端子に出力する出力バッファとを備えた半導体集積回路において、前記出力バッファがテスト回路を備え、前記出力バッファの電源,グランドをチップ内部の内部電源,内部グランドと分離することにより前記出力バッファのトランジスタ特性をアナログ的に測定可能にしたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件)：
G01R 31/28 ,  G01R 31/26 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件)：
G01R 31/28 V ,  G01R 31/26 G ,  H01L 27/04 T
Fターム (25件)：
2G003AA01 ,  2G003AA02 ,  2G003AB02 ,  2G003AE01 ,  2G003AG17 ,  2G032AA10 ,  2G032AB01 ,  2G032AD01 ,  2G032AE07 ,  2G032AE14 ,  2G032AK14 ,  2G032AK15 ,  5F038CD02 ,  5F038CD03 ,  5F038CD08 ,  5F038DT02 ,  5F038DT04 ,  5F038DT05 ,  5F038EZ20 ,  9A001BB05 ,  9A001HZ34 ,  9A001JJ45 ,  9A001KK37 ,  9A001LL05 ,  9A001LL08
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-327632   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 特開昭62-265581
  • 特開昭63-160353
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審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-327632   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 特開昭62-265581

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