特許
J-GLOBAL ID:200903091095439439

エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-256588
公開番号(公開出願番号):特開2009-087760
出願日: 2007年09月28日
公開日(公表日): 2009年04月23日
要約:
【課題】本発明は、量子ドットを含有する発光層を有し、リフトオフ法により発光層を安定してパターニングすることが可能であり、寿命特性が良好なEL素子の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、第1電極層が形成された基板上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、上記フォトレジスト層をパターン露光し、現像して、発光領域の上記フォトレジスト層が除去されるように上記フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、上記フォトレジスト層がパターン状に形成された上記基板上に、周囲にシランカップリング剤が配置された量子ドットを含有する発光層形成用塗工液を塗布し、硬化して、発光層を形成する発光層形成工程と、残存する上記フォトレジスト層を除去して、上記フォトレジスト層上の上記発光層をリフトオフする発光層パターニング工程とを有することを特徴とするEL素子の製造方法を提供する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1電極層が形成された基板上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、 前記フォトレジスト層をパターン露光し、現像して、発光領域の前記フォトレジスト層が除去されるように前記フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、 前記フォトレジスト層がパターン状に形成された前記基板上に、周囲にシランカップリング剤が配置された量子ドットを含有する発光層形成用塗工液を塗布し、硬化して、発光層を形成する発光層形成工程と、 残存する前記フォトレジスト層を除去して、前記フォトレジスト層上の前記発光層をリフトオフする発光層パターニング工程と を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (3件):
H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/20
FI (3件):
H05B33/10 ,  H05B33/14 B ,  H05B33/20
Fターム (11件):
3K107AA06 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC45 ,  3K107DD53 ,  3K107DD57 ,  3K107DD70 ,  3K107DD98 ,  3K107GG06 ,  3K107GG12 ,  3K107GG28
引用特許:
出願人引用 (2件)

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