特許
J-GLOBAL ID:200903004006675353
半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
石川 徹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-581553
公開番号(公開出願番号):特表2005-522005
出願日: 2003年03月28日
公開日(公表日): 2005年07月21日
要約:
【課題】 なし【解決手段】 層中に半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス。該層は、非重合性の層であってもよい。
請求項(抜粋):
マトリックスを含む層;
該層に隣接する第一電極;
該第一電極と向かい合う第二電極;
及び該第一電極と該第二電極との間に配置されている、複数の半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス。
IPC (12件):
H05B33/14
, C09K11/00
, C09K11/08
, C09K11/56
, C09K11/62
, C09K11/64
, C09K11/66
, C09K11/70
, C09K11/74
, C09K11/88
, H05B33/10
, H05B33/22
FI (13件):
H05B33/14 Z
, C09K11/00 F
, C09K11/08 G
, C09K11/56
, C09K11/62
, C09K11/64
, C09K11/66
, C09K11/70
, C09K11/74
, C09K11/88
, H05B33/10
, H05B33/22 B
, H05B33/22 D
Fターム (30件):
3K007AB03
, 3K007AB04
, 3K007AB06
, 3K007AB18
, 3K007CB01
, 3K007CC01
, 3K007DA01
, 3K007DA04
, 3K007DB00
, 3K007DB02
, 3K007FA00
, 4H001CA02
, 4H001CC07
, 4H001CC09
, 4H001CC13
, 4H001XA07
, 4H001XA13
, 4H001XA15
, 4H001XA16
, 4H001XA30
, 4H001XA31
, 4H001XA33
, 4H001XA34
, 4H001XA48
, 4H001XA49
, 4H001XA51
, 4H001XA52
, 4H001XA80
, 4H001XA81
, 4H001XA82
引用特許:
引用文献:
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