特許
J-GLOBAL ID:200903004006675353

半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石川 徹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-581553
公開番号(公開出願番号):特表2005-522005
出願日: 2003年03月28日
公開日(公表日): 2005年07月21日
要約:
【課題】 なし【解決手段】 層中に半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス。該層は、非重合性の層であってもよい。
請求項(抜粋):
マトリックスを含む層; 該層に隣接する第一電極; 該第一電極と向かい合う第二電極; 及び該第一電極と該第二電極との間に配置されている、複数の半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス。
IPC (12件):
H05B33/14 ,  C09K11/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/66 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  C09K11/88 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22
FI (13件):
H05B33/14 Z ,  C09K11/00 F ,  C09K11/08 G ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/66 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  C09K11/88 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22 B ,  H05B33/22 D
Fターム (30件):
3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007AB06 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007CC01 ,  3K007DA01 ,  3K007DA04 ,  3K007DB00 ,  3K007DB02 ,  3K007FA00 ,  4H001CA02 ,  4H001CC07 ,  4H001CC09 ,  4H001CC13 ,  4H001XA07 ,  4H001XA13 ,  4H001XA15 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA33 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA49 ,  4H001XA51 ,  4H001XA52 ,  4H001XA80 ,  4H001XA81 ,  4H001XA82
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献:
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